參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3116405BJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁數(shù)： 26/26頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： HYB3116405BJ-50
Semiconductor Group
26
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Package Outlines
Plastic Package P-SOJ-26/24-1 (300 mil)
(Small Outline J-leads, SMD)
1)Doesnotincludeplasticormetalprotrusionof0.15maxperside
IndexMarking
GPJ05628
24x
0.2
M
-0.1
-0.2
0.6
0.1
1)
IndexMarking
9.22
13
1
14
26
7.62
+0.12
0.4
1.27
17.27
0.2
-
0.13
-
-0.25
GPX05857
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PDF描述
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