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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116405BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJ-50 |
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Semiconductor Group
18
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
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WL17
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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