- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353425 > HYB25D256160CE-6 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256 Mbit Double Data Rate SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D256160CE-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 70/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160CE-6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁當前第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁
Data Sheet
72
Rev. 1.6, 2004-12
HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Electrical Characteristics
DQS output access time from CK/CK
tDQSCK –0.75
+0.75
ns
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width (write cycle)
tDQSL,H 0.35
—
tCK
2)3)4)5)
DQS-DQ skew (DQS and associated DQ
signals)
tDQSQ
—+0.5
ns
FBGA2)3)4)5)
—
+0.5
ns
TSOPII 2)3)4)5)
Write command to 1st DQS latching transition
tDQSS
0.75
1.25
tCK
2)3)4)5)
DQ and DM input setup time
tDS
0.5
—
ns
2)3)4)5)
DQS falling edge hold time from CK (write
cycle)
tDSH
0.2
—
tCK
2)3)4)5)
DQS falling edge to CK setup time (write
cycle)
tDSS
0.2
—
tCK
2)3)4)5)
Clock Half Period
tHP
min. (
tCL, tCH)—
ns
2)3)4)5)
Data-out high-impedance time from CK/CK
tHZ
–0.75
+0.75
ns
2)3)4)5)7)
Address and control input hold time
tIH
0.9
—
ns
fast slew rate
3)4)5)6)8)
1.0
—
ns
slow slew rate
3)4)5)6)8)
Control and Addr. input pulse width (each
input)
tIPW
2.2
—
ns
2)3)4)5)9)
Address and control input setup time
tIS
0.9
—
ns
fast slew rate
3)4)5)6)8)
1.0
—
ns
slow slew rate
3)4)5)6)8)
Data-out low-impedance time from CK/CK
tLZ
–0.75
+0.75
ns
2)3)4)5)7)
Mode register set command cycle time
tMRD
2—
tCK
2)3)4)5)
DQ/DQS output hold time
tQH
tHP – tQHS
ns
2)3)4)5)
Data hold skew factor
tQHS
—0.75
ns
FBGA2)3)4)5)
—
0.75
ns
TSOPII2)3)4)5)
Active to Read w/AP delay
tRAP
tRCD
—ns
2)3)4)5)
Active to Precharge command
tRAS
45
120E+3
ns
2)3)4)5)
Active to Active/Auto-refresh command
period
tRC
65
—
ns
2)3)4)5)
Active to Read or Write delay
tRCD
20
—
ns
2)3)4)5)
Average Periodic Refresh Interval
tREFI
7.8
—
s
2)3)4)5)10)
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
tRFC
75
—
ns
2)3)4)5)
Precharge command period
tRP
20
—
ns
2)3)4)5)
Read preamble
tRPRE
0.9
1.1
tCK
2)3)4)5)
Read postamble
tRPST
0.4
0.6
tCK
2)3)4)5)
Active bank A to Active bank B command
tRRD
15
—
ns
2)3)4)5)
Write preamble
tWPRE
0.25
—
tCK
2)3)4)5)
Write preamble setup time
tWPRES 0—
ns
2)3)4)5)11)
Table 22
AC Timing - Absolute Specifications for PC2700 (cont’d)
Parameter
Symbol –7
Unit
Note/Test
Condition 1)
DDR266A
Min.
Max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D256160BC-6 | Tools, Crimp; For Use With:Crimp terminal 12-60 AWG; Crimp Tool:Hand Crimp Tool |
| HYB39S256800DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256160DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256800DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256160DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D256160CEL-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CF-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CF-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CT-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256160CT-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。