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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D256160BCL-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 46/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160BCL-6 |
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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
50
Rev. 1.6, 2004-12
Figure 25
Write to Read: Nominal DQSS, Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
tDQSS (nom)
NOP
Read
Write
NOP
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 4 data elements are written.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
DI a-b
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
tWTR
CL = 2
1 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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