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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128323C-3.3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit DDR SGRAM |
| 中文描述： | 128兆的DDR SGRAM |
| 文件頁數(shù)： | 42/53頁 |
| 文件大小： | 1166K |
| 代理商： | HYB25D128323C-3.3 |
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HYB25D128323C[-3/-3.3/-3.6/-4.5/-5.0/L3.6/L4.5]
128 Mbit DDR SGRAM [4M x 32]
Electrical Characteristics
Data Sheet
42
V1.7, 2003-07
4
Electrical Characteristics
Attention: Stresses above those listed here may cause permanent damage to the device. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Maximum ratings are absolute ratings; exceeding only one of these values may cause
irreversible damage to the integrated circuit.
Table 13
Parameter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Values
typ.
–
Unit
Note/
Test Condition
min.
–0.5
max.
V
DDQ
+
0.5
+3.6
+3.6
+3.6
+70
+150
–
–
Voltage on I/O pins relative to
V
SS
V
IN
,
V
OUT
V
–
Voltage on Inputs relative to
V
SS
Voltage on
V
DD
supply relative to
V
SS
Voltage on
V
DDQ
supply relative to
V
SS
Operating Temperature (Ambient)
Storage Temperature (Plastic)
Power Dissipation
Short Circuit Output Current
V
IN
V
DD
V
DDQ
T
A
T
STG
P
D
I
OUT
–0.5
–0.5
–0.5
0
–55
–
–
–
–
–
–
–
1.4
50
V
V
V
°
C
°
C
W
mA
–
–
–
–
–
–
–
Table 14
Parameter
Power & DC Operation Conditions
Symbol
Values
typ. max.
2.5
2.5
—
—
2.5
1.25 0.51
×
V
DDQ
V
REF
V
REF
+ 0.04 V
—
5
—
5
—
5
V
DDQ
+ 0.3
—
V
REF
- 0.15
Unit Notes
1)
min.
2.38
2.38
2.5
2.5
2.38
0.49
×
V
DDQ
V
REF
- 0.04
–5
–5
–5
V
REF
+ 0.15 —
V
SSQ
- 0.3
Power Supply Voltage
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
REF
2.63
2.63
2.9
2.9
2.63
V
V
V
V
V
V
L3.6, L4.5
2)
–3.6, –4.5, –5
2)
–3.6, L3.6
2)3)
–3, –3.3
2)
2)
4)
5)
6)
Power Supply Voltage for I/O Buffer
Reference Voltage
Termination Voltage
Input leakage current
CLK Input leakage current
Output leakage current
Input logic high voltage, DC
Input logic low voltage, DC
V
T
t
I
IL
I
ILC
I
OL
V
IH
V
IL
7)
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
—
—
—
8)
9)
Output Levels: Matched Impedance Mode 2.5V
High Current at
V
OUT
=
V
DDQ
-0,373V
Low Current at
V
OUT
= 0.373V
I
OH
I
OL
–5
5
—
—
—
—
mA
mA
—
—
Output Levels: SSTL2 Weak Mode 2.5V
High Current at
V
OUT
=
V
DDQ
– 0,373V
Low Current at
V
OUT
= 0.373V
I
OH
I
OL
–5
5
—
—
—
—
mA
mA
—
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128323C-3.6 | 128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323C-4.5 | 128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323C-5 | 128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323C-L4.5 | 128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323CL4.5 | 128 Mbit DDR SGRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128323C-4.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323C-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323CL3.6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323C-L3.6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit DDR SGRAM |
| HYB25D128323CL-3.6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit DDR SGRAM |
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