參數(shù)資料
型號: HYB 3116405BT-60
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
中文描述: 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器(4K的刷新,超頁模式-江戶)(4米× 4位動態(tài)隨機存儲器(4K的刷新,超級頁面EDO公司))
文件頁數(shù): 28/28頁
文件大?。?/td> 143K
代理商: HYB 3116405BT-60
HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
28
1998-10-01
GPX05857
17.14
±0.13
1)
26
Index Marking
1.27
0.4
+0.12
-0.1
0.2
M
24x
0
1
0.1
7.62
±0.13
±0.2
9.22
-0.2
0.6
0
+
-
5
2119
14
1
6 8
13
±
1
±
Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max per side
1)
Plastic Package P-TSOPII-26/24-1
(400 mil) (SMD)
(Plastic Thin Small Outline Package (Type II))
Sorts of Packing
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our
Data Book “Package Information”.
SMD = Surface Mounted Device
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 3116405BTL-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BTL-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BT-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3116405BT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BT-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BTL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BTL-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3116405BTL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM