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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 3116405BT-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超頁模式-江戶）（4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超級頁面EDO公司）） |
| 文件頁數(shù)： | 10/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HYB 3116405BT-60 |
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
10
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle time
t
HPC
t
CP
t
CPA
t
COH
t
RAS
t
RHCP
t
OES
20
–
25
–
ns
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS delay
27
–
32
–
ns
OE setup time prior to CAS
5
–
5
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Read-Modify-Write Cycle
Hyper page mode (EDO) read-write cycle
time
t
PRWC
58
–
68
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
41
–
49
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time (CAS-before-RAS
counter test cycle)
t
CPT
35
–
40
–
ns
Self Refresh Cycle (L-Version only)
RAS pulse width
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100k
–
100k
–
ns
17
RAS precharge time
95
–
110
–
ns
17
CAS hold time
– 50
–
– 50
–
ns
17
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BTL-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3117405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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