參數(shù)資料
型號: HYB 3116405BJ-50
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
中文描述: 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器(4K的刷新,超頁模式-江戶)(4米× 4位動態(tài)隨機存儲器(4K的刷新,超級頁面EDO公司))
文件頁數(shù): 27/28頁
文件大小: 143K
代理商: HYB 3116405BJ-50
HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
27
1998-10-01
Package Outlines
0
-0.25
8.63
±0.2
6.8
-
3
±
2
1.27
0.85 max
-0.1
0.51
Index Marking
-0.25
17.27
26
1
1)
0.1
0.25
0
30
7.75
-0.25
0
+
21
6
19
8
14
13
0.18
15.24
24x
A
B
0.18
B
M
0.25
B
A
1) Does not include plastic or metal protrusions of 0.15 max per side
M
1)
Plastic Package P-SOJ-26/24-1
(SMD) (300mil)
(Plastic small outline J-leaded)
G
Sorts of Packing
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our
Data Book “Package Information”.
SMD = Surface Mounted Device
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 3116405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BT-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BT-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BTL-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BTL-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3116405BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3116405BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJBTL-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM