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參數(shù)資料
| 型號： | HY62LF16101CSLF-10 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48 |
| 封裝： | FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | HY62LF16101CSLF-10 |
HY62LF16101C Series
Rev.04 /Jun. 01
7
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
TA=0
°C to 70°C / -40°C to 85°C (I)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDR
Vcc for Data Retention
/CS > Vcc - 0.2V or
1.2
-
2.7
V
/UB = /LB > Vcc-0.2V,
VIN > Vcc - 0.2V or VIN < Vss + 0.2V
ICCDR
Data Retention Current
Vcc=1.5V, /CS > Vcc - 0.2V,
LL
-
0.5
2
uA
/UB = /LB > Vcc - 0.2V
VIN > Vcc - 0.2V or
SL
-
1
uA
VIN < Vss + 0.2V
tCDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
See Data Retention Timing
Diagram
0
-
ns
tR
Operating Recovery Time
tRC(2)
-
ns
Notes:
1. Typical values are under the condition of TA = 25
°C.
2. tRC is read cycle time.
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
CS
VDR
CS > VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
VCC
2.3V
DATA RETENTION MODE
or /UB &/LB
or /UB = /LB > Vcc – 0.2V
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