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參數(shù)資料
| 型號： | HY62KF16403E |
| 英文描述： | x16|2.7~3.6V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
| 中文描述： | x16 | 2.7?3.6V的| 55/70 |超級低功耗SRAM的速度慢- 4分 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | HY62KF16403E |
HY62KF08401C Series
Rev.01 / Jun.01
5
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1 (Note 1,4)
READ CYCLE 2 (Note 1,2,4)
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE and a low /CS.
2. /OE = VIL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/OE
tOE
tCLZ(3)
tOLZ(3)
tCHZ(3)
tOHZ(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62QF16200ALLF-I-10 | 128K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48 |
| HY62QF8400SLM-12 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PBGA48 |
| HY62SF8400LLM-12I | 512K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PBGA48 |
| HY62SF16403ALLM-10 | x16 SRAM |
| HY62SF16403ALLM-10I | x16 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62KT08081E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KT08081E-DG10C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DG10E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DG10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DG70C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
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