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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU281622ET-30 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/34頁(yè) |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | HY5DU281622ET-30 |
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Rev. 0.5 / Jan. 2005
4
HY5DU281622ET
PIN CONFIGURATION
(Top View)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
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38
37
36
35
34
1
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3
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6
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29
30
31
32
33
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
400mil X 875mil
66pin TSOP -II
0.65mm pin pitch
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
8Mx16
Organization
2M x 16 x 4banks
Row Address
A0 - A11
Column Address
A0-A8
Bank Address
BA0, BA1
Auto Precharge Flag
A10
Refresh
4K
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU281622ET-33 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-36 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-4 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-5 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU283222AF | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU281622ET-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ETP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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