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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620LT-S |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | HY57V561620LT-S |
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit.
Parameter
Symbol
-HP
-H
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
65
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
65
-
65
-
68
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
20
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
45
100K
45
100K
48
100K
50
100K
50
100K
ns
RAS precharge time
tRP
20
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS bank active delay
tRRD
15
-
15
-
16
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
5
-
5
-
5
-
4
-
4
-
CLK
DQM to data-out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to data-in mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to data
output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
-
-
-
-
-
-
2
-
2
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620T-8 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-H | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-P | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-S | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820B | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620LT-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V561620T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|75|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V561620T-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V561620T-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
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