- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385421 > HY57V561620LT-P (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY57V561620LT-P |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | HY57V561620LT-P |
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
Output
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1. V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2. D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
-H
-8/P/S
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A12, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
=+4mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620LT-S | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-8 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-H | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-P | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-S | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620LT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620LT-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V561620T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|75|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V561620T-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V561620T-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。