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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2銀行x為512k × 16位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | HY57V161610D |
HY57V161610D
Rev. 4.0/Aug. 02
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0
°
C
to 70
°
C
)
Note :
1.V
DD
(min) is 3.15V when HY57V161610DTC-7 operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.
2.V
DD
(min) of HY57V161610DTC-5/55 is 3.15V
3.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
4.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
4
pF
A0 ~ A10, BA
CKE, CS, RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM
C
I2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
3.0
3.6
V
1, 2
Input leakage current
IL
-1
1
uA
3
Output leakage current
IO
-1
1
uA
4
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
=+4mA
Vtt=1.4V
RT=250
30pF
Output
DC Output Load Circuit
30pF
Output
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-55 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-6 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-7 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-8 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610D-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V161610DTC-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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