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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2銀行x為512k × 16位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | HY57V161610D |
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HY57V161610D
Rev. 4.0/Aug. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mx16 Synchronous DRAM
Column Addr.
Latch & Counter
Burst Length
Counter
Refresh
Interval Timer
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Address
Register
I/O Control
Test Mode
Mode Register
Self Refresh Counter
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 0
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 1
RAS
CAS
CS
WE
UDQM
LDQM
CKE
Precharge
Overflow
Column Active
Row Active
Address[0:10]
CLK
BA(A11)
S
R
R
A
R
D
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-55 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-6 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-7 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-8 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610D-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V161610DTC-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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