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參數(shù)資料
| 型號： | HY51V65163HG(HGL) |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4Mx16|3.3V|4K|45|FP/EDO DRAM - 64M |
| 中文描述： | 4Mx16 | 3.3 | 4K的| 45 |計劃生育/ EDO公司的DRAM - 6400 |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | HY51V65163HG(HGL) |
HY51V(S)65163HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
2
PIN CONFIGURATION
Pin
Function
/RAS
Row Address Strobe
/UCAS, /LCAS
Column Address Strobe
/WE
Write Enable
/OE
Output Enable
A0-A11
Address Inputs
A0-A11
Refresh Address Inputs
I/O 0- I/O15
Data Input / Output
Vcc
Power (3.3V)
Vss
Ground
NC
No connection
PIN DESCRIPTION
1
VCC
2
IO0
3
IO1
IO2
4
5
IO3
6
7
12
VCC
13
/WE
VCC
IO4
11
NC
10
IO7
9
IO6
8
IO5
14
/RAS
15
NC
16
NC
NC
17
18
NC
19
20
25
VCC
A0
A1
24
A5
23
A4
22
A3
21
A2
50
VSS
49
IO15
48
IO14
IO13
47
46
IO12
45
44
39
VSS
38
/LCAS
VSS
IO11
40
NC
41
IO8
42
IO9
43
IO10
37 /UCAS
36
/OE
35
NC
NC
34
33
NC
32
31
26
VSS
A11
A10
27
A6
28
A7
29
A8
30
A9
50 Pin Plastic SOJ / TSOP-II
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HY51V65163HGJ-5 | 4M x 16Bit EDO DRAM |
| HY51V65163HGJ-6 | 4M x 16Bit EDO DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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