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參數(shù)資料
| 型號： | HY29LV400BT90I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8/256K × 16）低壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 24/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | HY29LV400BT90I |
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24
Rev. 1.0/Nov. 01
HY29LV400
TEST CONDITIONS
Table 12. Test Specifications
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L
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n
g
S
Note:
Timing measurements are made at the reference lev-
els specified above regardless of where the illustrations in
the timing diagrams appear to indicate the measurement is
made
Figure 13. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
Figure 14. Input Waveforms and Measurement Levels
n
5
5
-
0
0
G
0
7
9
L
0
1
-
-
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0
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5
V
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s
5
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 3.3V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
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V
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KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29LV400TF55 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF55I | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF70 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF70I | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF90 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29LV400TF55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF55I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400TF90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
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