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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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29
HY29F040A
Figure 12. AC Waveforms for Toggle Bit during Internal Algorithm Operations
SWITCHING WAVEFORMS
Notes:
1.
DQ6 stops toggling (The device has completed the internal program or erase operation)
t
OEH
t
OES
Data
(DQ0-DQ7)
DQ6 = Toggle
DQ6 = Toggle
DQ6 =
Stop Toggling
DQ0-DQ7
Valid
V
CC
t
OE
CE
WE
OE
5.0V
GND
Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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