參數(shù)資料
型號(hào)： HY27UF081G2M-TMB
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 43/48頁(yè)
文件大小： 476K
代理商： HY27UF081G2M-TMB
Rev 0.7 / Apr. 2005
43
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Symbol
millimeters
Typ
Min
Max
0.700
0.080
0.620
0.230
0.175
0.050
12.120
17.100
15.500
A
A1
A2
B
C
CP
D
E
E1
e
L
0
0.540
0.130
0.065
11.910
16.900
15.300
12.000
17.000
15.400
0.500
0.450
0
0.750
8
alpha
Figure 32. 48-pin WSOP1, 12 x 17mm, Package Outline
Table 20: 48-WSOP1, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
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(
(
&
H
%
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'
(
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27LF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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HY27UF081G2M-TPCS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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