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HUF76113DK8T	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SO
HUF76121D3ST	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA
HUF76121SK8T	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO
HUF76129S3	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 61A I(D) \| TO-262AA
HUF76633S3ST	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 39A I(D) \| TO-263AB

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HUF76113DK8T	功能描述:MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76113SK8	功能描述:MOSFET 6.5a 30V .0.030Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76113SK8T	功能描述:MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76113T3ST	功能描述:MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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HUF76113DK8

功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

HUF76113DK8T

功能描述:MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

HUF76113SK8

功能描述:MOSFET 6.5a 30V .0.030Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

HUF76113SK8T

功能描述:MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

HUF76113T3ST

功能描述:MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	HUF76112SK8T
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7.5A I(D) \| SO
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 30V的五（巴西）直\| 7.5AI（四）\|蘇
文件頁數(shù)：	1/11頁
文件大?。?/td>	673K
代理商：	HUF76112SK8T

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