參數(shù)資料
型號： HUF76121D3ST
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 20A條（丁）|對252AA
文件頁數(shù)： 1/11頁
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代理商： HUF76121D3ST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF76121SK8T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
HUF76129S3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 61A I(D) | TO-262AA
HUF76633S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-263AB
HUF76639P3T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-220AB
HUF76639S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76121P3 功能描述:MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121S3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUF76121S3S 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121S3ST 功能描述:MOSFET USE 512-FDB6030BL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121SK8 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:8A, 30V, 0.023 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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