參數(shù)資料
型號： HUF75637S3S
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
中文描述： 44 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 332K
代理商： HUF75637S3S
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
20
30
40
50
50
75
100
125
150
0
25
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
175
20
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
600
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
HUF75637P3, HUF75637S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75637P3 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75637S3S REPLACEMENT BLADE FOR PTS-10
HUF76107P3 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107D3 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107D3S 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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HUF75639G3 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75639G3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
HUF75639G3_Q 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75639P3 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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