型號(hào): | HUF75637P3 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
中文描述: | 44 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件頁(yè)數(shù): | 6/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 332K |
代理商: | HUF75637P3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HUF75637S3S | REPLACEMENT BLADE FOR PTS-10 |
HUF76107P3 | 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
HUF76107D3 | 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
HUF76107D3S | 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
HUF76107P3 | 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HUF75637P3T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB |
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HUF75637S3_NR4895 | 功能描述:MOSFET 100V 41A 0.03Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
HUF75637S3S | 功能描述:MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
HUF75637S3ST | 功能描述:MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |