參數(shù)資料
型號(hào): HUF75637P3
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
中文描述: 44 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
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代理商: HUF75637P3
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FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TIME WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75637P3, HUF75637S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75637S3S REPLACEMENT BLADE FOR PTS-10
HUF76107P3 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107D3 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107D3S 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107P3 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75637P3T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB
HUF75637S3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUF75637S3_NR4895 功能描述:MOSFET 100V 41A 0.03Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75637S3S 功能描述:MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75637S3ST 功能描述:MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube