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參數(shù)資料
| 型號： | HTT1127E |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1540|NOV.29.02|67K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1540 | NOV.29.02 | 6.7萬 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | HTT1127E |
HTT1127E
Rev.0, Nov.2002 page 5 of 9
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16
12
8
4
0
1
2
5
10
20
50
100
Collector Current I
C
(mA)
G
T
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
f = 1 GHz
V
CE
= 2 V
Collector Current I
C
(mA)
N
Noise Figure vs. Collector Current
20
16
12
8
4
0
1
2
5
10
20
50
100
Collector Current IC (mA)
S
S21 Parameter vs. Collector Current
f = 900 MHz
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
6
4
3
2
1
0
1
2
5
10
20
50
100
5
V
= 1 V
f = 900 MHz
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 1 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HTT1115E | BJT |
| HTT1115S | BJT |
| HTT1129E | Datasheet|ADE-208-1541A|JAN.09.02|58K |
| HTT1213S | |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HTT1132E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor |
| HTT1213E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor |
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