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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HTT1127E |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1540|NOV.29.02|67K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1540 | NOV.29.02 | 6.7萬(wàn) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | HTT1127E |
HTT1127E
Rev.0, Nov. 2002, page 2 of 9
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
Q1
Q2
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
15
15
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
4
6
V
Emitter to base voltage
V
EBO
1.5
1.5
V
Collector current
I
C
50
80
mA
Collector power dissipation
P
C
Total 200*
mW
Junction temperature
Tj
150
150
°C
Storage temperature
*Value on PCB. (FR–4 (13 x 13 x 0.635 mm)).
Tstg
–55 to
+
150
–50 to +150
°C
0
50
100
150
200
C
Collector Power Dissipation Curve
Ambient temperature Ta (
°
C)
250
200
150
100
50
*Value on PCB.
(FR–4 (13 x13 x 0.635 mm))
2 devices total
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HTT1213E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor |
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