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參數(shù)資料
| 型號： | HTT1115E |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | HTT1115E |
HTT1127E
Rev.0, Nov. 2002, page 6 of 9
Q2 Main Characteristics
20
16
12
8
4
1
2
3
4
5
6
25
20
15
10
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
200
100
0
0.1
1.0
10
100
I
B
= 20
μ
A
40
μ
A
60
μ
A
80
μ
A
100
μ
A
120
μ
A
140
μ
A
160
μ
A
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
0
180
μ
A
Typical Output Characteristics
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Typical Forward Transfer Characteristics
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
R
r
Reverse Transfer Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
1.0
Emitter ground
f = 1 MHz
1.0
0.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HTT1115S | BJT |
| HTT1129E | Datasheet|ADE-208-1541A|JAN.09.02|58K |
| HTT1213S | |
| HTTLDL025 | Logic IC |
| HTTLDL200 | Logic IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HTT1115EFTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor |
| HTT1115S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| HTT111F1000KCB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|111A I(T) |
| HTT111F1000KCC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|111A I(T) |
| HTT111F1000KCF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|111A I(T) |
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