參數(shù)資料
型號(hào)： HN58X2416NIR
元件分類： DRAM
英文描述： EEPROM
中文描述： EEPROM的
文件頁數(shù)： 3/20頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： HN58X2416NIR
HN58X2408/HN58X2416/HN58X2432/HN58X2464FPIAG
3
Block Diagram
Control
logic
High voltage generator
A
X
Y
Memory array
Y-serect & Sense amp.
Serial-parallel converter
V
CC
V
SS
WP
A0, A1, A2
SCL
SDA
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply voltage relative to V
SS
Input voltage relative to V
SS
Operating temperature range*
1
V
CC
Vin
–0.6 to +7.0
V
–0.5*
2
to +7.0*
3
V
Topr
–40 to +85
C
Storage temperature range
Notes: 1. Including electrical characteristics and data retention.
2. Vin (min): –3.0 V for pulse width
≤
50 ns.
3. Should not exceed V
CC
+ 1.0 V.
Tstg
–65 to +125
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Topr
1.8
—
5.5
V
0
0
0
V
Input high voltage
V
CC
×
0.7
–0.3*
1
—
V
CC
+ 1.0
V
CC
×
0.3
85
V
Input low voltage
—
V
Operating temperature
Note:
1. V
IL
(min): –1.0 V for pulse width
≤
50 ns.
–40
—
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HN58X2416T I2C Serial EEPROM
HN58X24256FP I2C Serial EEPROM
HN58X24256T I2C Serial EEPROM
HN58X2432FP I2C Serial EEPROM
HN58X2432FPIAG EEPROM
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參數(shù)描述
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