型號: | HN3G01J |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR |
中文描述: | N通道結型場效應管npn型硅外延型晶體管 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 210K |
代理商: | HN3G01J |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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HN4401 | NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
HN4402 | RESISTOR 62K OHM .25W CARB COMP |
HN4403 | PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
HN462716G-1 | x8 EPROM |
HN4827128G-25 | x8 EPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HN3G01J-BL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
HN3G01J-BL-TE85L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
HN3G01J-BL-TE85R | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
HN3X3LG6 | 功能描述:電線導管 Hinged Duct, Narrow Finger RoHS:否 制造商:Panduit 類型:Slotted SideWall Open finger design wiring cut 材料:Polypropylene 顏色:Light Gray 大小: 最大光束直徑: 抗拉強度: 外部導管寬度:25 mm 外部導管高度:25 mm |
HN3X3WH6 | 功能描述:電線導管 Hinged Duct, Narrow Finger RoHS:否 制造商:Panduit 類型:Slotted SideWall Open finger design wiring cut 材料:Polypropylene 顏色:Light Gray 大小: 最大光束直徑: 抗拉強度: 外部導管寬度:25 mm 外部導管高度:25 mm |