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參數資料
| 型號： | HN29W256AH03TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數： | 58/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | HN29W256AH03TE |
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HN29W256AH03TE-1
58
Attribute Memory Write AC Characteristics
250 ns
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Write cycle time
tCW
250
—
—
ns
Write pulse time
tw(WE)
150
—
—
ns
Address setup time
tsu(A)
30
—
—
ns
Address setup time (-WE)
tsu(A-WEH)
180
—
—
ns
-CE setup time (-WE)
tsu(CE-WEH)
180
—
—
ns
Data setup time (-WE)
tsu(D-WEH)
80
—
—
ns
Data hold time
th(D)
30
—
—
ns
Write recover time
trec(WE)
30
—
—
ns
Output disable time (-WE)
tdis(WE)
—
—
100
ns
Output disable time (-OE)
tdis(OE)
—
—
100
ns
Output enable time (-WE)
ten(WE)
5
—
—
ns
Output enable time (-OE)
ten(OE)
5
—
—
ns
Output enable setup time (-WE)
tsu(OE-WE)
10
—
—
ns
Output enable hold time (-WE)
th(OE-WE)
t
su(CE)
t
h(CE)
10
—
—
ns
-CE setup time
0
—
—
ns
-CE hold time
20
—
—
ns
Attribute Memory Write Timing
A0 to A10
-REG
-CE2/-CE1
-OE
D0 to D15(Din)
D0 to D15(Dout)
t
su(CE)
t
su(D-WEH)
I
nput Data
t
dis(WE)
t
dis(OE)
t
en(WE)
t
en(OE)
t
h(D)
t
h(OE-WE)
t
rec(WE)
t
h(CE)
t
su(OE-WE)
t
su(A)
-IOWR, -IORD : High Fix
-WE
t
CW
t
su(CE-WEH)
t
su(A-WEH)
t
w(WE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W256H02TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29W6411A | 64M AND type Flash Memory(64M AND型閃速存儲器) |
| HN29W6484AH03TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29W6484DH08TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HN29W256H02TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W256SH02TE-1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:256M FLASH CONTROLLER - Trays |
| HN29W3221T-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W3221T-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W51214ST | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
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