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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W25611T-50 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| 中文描述： | 256M超過16057型快閃記憶體部門（271299072位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | HN29W25611T-50 |
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HN29W25611 Series
19
Power on and off, Serial Read Mode
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Notes
Write cycle time
t
CWC
t
SCC
t
CES
t
CEH
t
WP
t
WPH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
SAC
t
OES
t
OEL
t
OER
t
OEWS
120
—
—
ns
Serial clock cycle time
CE
setup time
CE
hold time
50
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
Write pulse time
60
—
—
ns
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
Write pulse high time
40
—
—
ns
Address setup time
50
—
—
ns
Address hold time
10
—
—
ns
Data setup time
50
—
—
ns
Data hold time
10
—
—
ns
SC to output delay
OE
setup time for SC
OE
low to output low-Z
OE
setup time before read
OE
setup time before
command write
—
—
50
ns
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
0
—
—
ns
0
—
40
ns
250
—
—
ns
0
—
—
ns
SC to output hold
OE
high to output float
WE
to SC delay time
RES
to
CE
setup time
SC to
OE
hold time
t
SH
t
DF
t
WSD
t
RP
t
SOH
t
SP
t
SPL
t
SCS
t
CDS
t
CDH
t
VRS
t
VRH
t
CESR
t
DFP
15
—
—
ns
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
—
—
40
ns
1
50
—
—
μ
s
2
1
—
—
ms
50
—
—
ns
SC pulse width
20
—
—
ns
SC pulse low time
SC setup time for
CE
CDE
setup time for
WE
CDE
hold time for
WE
V
CC
setup time for
RES
RES
to V
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hold time
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setup time for
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RDY/
Busy
undefined for V
CC
off
RES
high to device ready
CE
pulse high time
CE
,
WE
setup time for
RES
RES
to
CE
,
WE
hold time
20
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
20
—
—
ns
1
—
—
μ
s
μ
s
μ
s
CE
= V
IH
CE
= V
IH
1
—
—
1
—
—
0
—
—
ns
t
BSY
t
CPH
t
CWRS
t
CWRH
—
—
1
ms
200
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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