- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370645 > HN29W12814A (Hitachi,Ltd.) 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W12814A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 128M的AND型快閃記憶體（128兆及型閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 17/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 289K |
| 代理商： | HN29W12814A |
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HN29W12814A Series
17
DC Characteristics-1
(V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, Ta = 0 to +70C)
Parameter
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input leakage current
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
—
—
2
μ
A
μ
A
Vin = V
SS
to V
CC
Vout = V
SS
to V
CC
CE
= V
IH
CE
= V
CC
±
0.2 V,
RES
= V
CC
±
0.2V
RES
= V
SS
±
0.2V
Iout = 0 mA, f = 0.2 MHz
Output leakage current
—
—
2
Standby V
CC
current
—
0.6
2
mA
—
60
100
μ
A
Deep standby V
CC
current
Operating V
CC
current
I
SB3
I
CC1
I
CC2
I
CC3
—
2
10
μ
A
—
—
50
mA
—
60
100
mA
Iout = 0 mA, f = 20 MHz
Operating V
CC
current
(Program)
—
—
80
mA
In programming
Operating V
CC
current (Erase)
Input voltage
I
CC4
V
IL
V
IH
V
ILR
V
IHR
V
OL
V
OH
—
—
80
mA
In erase
–0.3*
1, 2
—
0.8
V
2.0
—
V
CC
+ 0.3*
3
0.2
V
Input voltage (
RES
pin)
–0.2
—
V
V
CC
– 0.2 —
—
V
CC
+ 0.2
0.4
V
Output voltage
—
V
I
OL
= 2 mA
I
OH
= –2 mA
2.4
—
—
V
Notes: 1. V
min = –1.0 V for pulse width
≤
50 ns in the read operation. V
IL
min = –2.0 V for pulse width
≤
20 ns in the read operation.
2. V
IL
min = –0.6 V for pulse width
≤
20 ns in the erase/data programming operation.
3. V
max = V
+ 1.5 V for pulse width
≤
20 ns. If V
IH
is over the specified maximum value, the
operations are not guaranteed.
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