參數(shù)資料
型號： HMC464LP5
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz
中文描述： 的GaAs PHEMT MMIC功率放大器，2.0 - 20.0千兆赫
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 237K
代理商： HMC464LP5
MICROWAVE CORPORATION
1 - 108
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A
1
HMC464
v02.0704
GaAs PHEMT MMIC
POWER AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz
P1dB vs. Temperature
Psat vs. Temperature
Output IP3 vs. Temperature
Gain, Power & OIP3
vs. Supply Voltage @ 10 GHz, Fixed Vgg
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd)
+9.0 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg1)
-2.0 to 0 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg2)
(Vdd -8.0) Vdc to Vdd
RF Input Power (RFin)(Vdd = +8.0 Vdc)
+23 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 51.5 mW/°C above 85 °C)
4.64 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
19.4 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
Vdd (V)
Idd (mA)
+7.5
292
+8.0
290
+8.5
288
Typical Supply Current vs. Vdd
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
+25C
+85C
-55C
P
FREQUENCY (GHz)
10
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+25C
+85C
-55C
P
FREQUENCY (GHz)
16
18
20
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24
26
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32
34
36
0
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18
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+25C
+85C
-55C
O
FREQUENCY (GHz)
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
7.5
8
8.5
Psat
OIP3
G
Vdd SUPPLY VOLTAGE (Vdc)
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