參數(shù)資料
型號： HMC449LC3B
廠商： HITTITE MICROWAVE CORP
元件分類： 倍頻器
英文描述： 27000 MHz - 31000 MHz RF/MICROWAVE FREQUENCY DOUBLER
封裝： 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SMT, 12 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： HMC449LC3B
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20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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7 - 76
HMC449LC3B
v02.1208
SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY
MULTIPLIER, 27 - 31 GHz OUTPUT
General Description
Features
Functional Diagram
Electrical Specifications, T
A = +25° C, Vdd= +5V, 0 dBm Drive Level
Typical Applications
The HMC449LC3B is suitable for:
Point-to-Point & Multi-Point Radios
VSAT Radios
Military EW, ECM, C3I
Test Instrumentation
Military & Space
The HMC449LC3B is a x2 active broadband frequ-
ency multiplier utilizing GaAs PHEMT technology in
a leadless RoHS SMT package. When driven by a
0 dBm signal the multiplier provides +9 dBm typical
output power from 27 to 31 GHz. The Fo and 3Fo
isolations are >25 dBc and >30 dBc respectively at
30 GHz. The HMC449LC3B is ideal for use in LO
multiplier chains yielding a reduced parts count vs.
traditional approaches. The low additive SSB Phase
Noise of -132 dBc/Hz at 100 kHz offset helps maintain
good system noise performance. The HMC449LC3B
eliminates the need for wire bonding, allowing the use
of surface mount manufacturing techniques.
Output Power: +9 dBm
Wide Input Power Range: -4 to +6 dBm
Fo Isolation: 30 dBc @ Fout= 28 GHz
100 kHz SSB Phase Noise: -132 dBc/Hz
Single Supply: 5V@ 50 mA
RoHS Compliant 3x3 mm SMT Package
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Frequency Range, Input
13.5 - 15.5
GHz
Frequency Range, Output
27 - 31
GHz
Output Power
59
dBm
Fo Isolation (with respect to output level)
30
dBc
3Fo Isolation (with respect to output level)
25
dBc
Input Return Loss
12
dB
Output Return Loss
8dB
SSB Phase Noise (100 kHz Offset)
-132
dBc/Hz
Supply Current (Idd)
50
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HMC449 27000 MHz - 33000 MHz RF/MICROWAVE FREQUENCY DOUBLER
HMC457QS16GE 1700 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
HMC464LP5E 2000 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
HMC466LP4 6100 MHz - 6720 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
HMC470LP3TR 0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 2 dB INSERTION LOSS-MAX
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HMC449LC3B_09 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 27 - 31 GHz OUTPUT
HMC44DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 88POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:30 位置數(shù):60 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
HMC44DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 88POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:65 位置數(shù):130 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HMC44DRAI 功能描述:CONN EDGECARD 88POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:65 位置數(shù):130 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HMC44DRAI-S734 功能描述:CONN EDGECARD 88POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:65 位置數(shù):130 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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