- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367209 > HMC318MS8G (美國訊泰微波有限公司上海代表處) GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 5.0 - 6.0 GHz PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HMC318MS8G |
| 廠商： | 美國訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 5.0 - 6.0 GHz |
| 中文描述： | 砷化鎵MMIC低噪聲放大器的增益，5.0 - 6.0吉赫 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HMC318MS8G |
MICROWAVE CORPORATION
8 - 86
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order Online at www.hittite.com
A
8
HMC318MS8G
GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER
with AGC, 5.0 - 6.0 GHz
v00.0900
General Description
Features
LNA with 18 dB Gain Control
+3V Operation
Low Noise Figure: 2.5 dB
No External Components
Ultra Small 8 Lead MSOP:
14.8mm
2
x 1mm High
Functional Diagram
The HMC318MS8G is a surface mount low cost
C-band variable gain low noise amplifier (VGLNA)
that serves the full UNII and HiperLAN bands.
The HMC318MS8G operates using a single posi-
tive supply that can be set between +3V or +5V.
When a control voltage of 0V to +3V is applied,
the gain of the amplifier will decrease while main-
taining excellent return loss performance. A max-
imum gain of 9 dB is achieved when VCTL is set
to 0V and a minimum gain of -9 dB is achieved
when Vctl is set to +3V.
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C, Vdd = +3V
Typical Applications
The HMC318MS8G is ideal for:
UNII
HiperLAN
* Specifications refer to the maximum gain state (Vctl = 0V) unless otherwise noted.
Parameter*
Min.
Typ.
Max.
Units
Frequency Range
5.0 - 6.0
GHz
Gain
6
9
12
dB
Gain Variation over Temperature
0.03
0.04
dB/°C
Gain Control Range
11
18
23
dB
Noise Figure
2.5
4.0
dB
Input Return Loss
6
12
dB
Output Return Loss
7
13
dB
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)
-1
2
dBm
Output Third Order Intercept (OIP3)
10
13
dBm
Supply Current (Idd)
6
10
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC320MS8G | GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER , 5.0 - 6.0 GHz |
| HMC321LP4 | GaAs MMIC SP8T NON-REFLECTIVE POSITIVE CONTROL SWITCH, DC - 8.0 GHz |
| HMC322 | GaAs MMIC SP8T NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 10.0 GHz |
| HMC322LP4 | GaAs MMIC SP8T NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 8.0 GHz |
| HMC323 | HBT DRIVER AMPLIFIER DC - 3.0 GHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HMC318MS8G_07 | 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 5.0 - 6.0 GHz |
| HMC318MS8G_09 | 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 5 - 6 GHz |
| HMC318MS8GE | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC AMP VGA LNA 5.0-6.0GHZ 8-MSOP |
| HMC31DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 62POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.093"（2.36mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HMC31DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 62POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:60 位置數(shù):120 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點:側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。