參數(shù)資料
型號(hào)： HM62W4100HLJP-15
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)
中文描述： 4分高速SRAM（1 - Mword × 4位）
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： HM62W4100HLJP-15
HM62W4100H Series
5
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0V)
Parameter
Symbol Min
Typ*
1
Max
Unit
Test conditions
Input leakage current
II
LI
I
II
LO
I
—
—
2
μ
A
μ
A
Vin = V
SS
to V
CC
Vin = V
SS
to V
CC
Min cycle
CS
= V
, lout = 0 mA
Other inputs = V
IH
/V
IL
Output leakage current
—
—
2
Operation power
supply current
12 ns cycle I
CC
—
—
180
mA
15 ns cycle I
CC
12 ns cycle I
SB
—
—
160
Standby power supply
current
—
—
60
mA
Min cycle,
CS
= V
,
Other inputs = V
IH
/V
IL
15 ns cycle I
SB
—
—
50
I
SB1
—
0.05
5
mA
f = 0 MHz
V
≥
CS
≥
V
CC
- 0.2 V,
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
- 0.2 V
—*
2
0.05*
2
1*
2
Output voltage
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –4 mA
2.4
—
—
V
Notes: 1. Typical values are at V
CC
= 3.3 V, Ta = +25
°
C and not guaranteed.
2. This characteristics is guaranteed only for L-version.
Capacitance
(Ta = +25
°
C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance*
1
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Input/output capacitance*
1
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
C
I/O
—
—
8
pF
V
I/O
= 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM62W4100H 4M High Speed SRAM (1-Mword ×4-bit)(4M高速靜態(tài)RAM(1M字×4位))
HM62W8511HJP-12 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HJP-15 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HLJP-12 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HLJP-15 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HM62W8512BLTTI7 制造商:Hitachi 功能描述:
HM-630 制造商:Black Box Corporation 功能描述:FACE PLATE:HM-STAINLESS
HM63021FP 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
HM63021P-28 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Field/Frame/Line Memory
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