參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225805B-B6
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 256M LVTTL接口SDRAM的133 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4銀行PC/133，電腦/ 100內(nèi)存
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文件大小： 462K
代理商： HM5225805B-B6
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
56
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (output)
DQ (input)
High-Z
b
b+3
b
’
b
’
+1
b
’
+2
b
’
+3
l
valid
C: b
’
RSA
code
lRCD
lRP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
V
IH
l = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Read Cycle/Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1 b"+2 b"+3
CKE
RAS
CAS
WE
CS
Address
DQMU/DQM,
DQ (output)
DQ (input)
CLK
BS
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1b"+2 b"+3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
CKE
RAS
CS
CAS
WE
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (output)
DQ (input)
BS
High-Z
High-Z
V
IH
V
IH
Read cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
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PDF描述
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