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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM51W16165TT-7 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| 中文描述： | 16米EDO公司的DRAM（1 - Mword 16位）4畝刷新/ 1畝刷新 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM51W16165TT-7 |
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HM51W16165 Series, HM51W18165 Series
13
Write Cycle
HM51W16165/HM51W18165
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
—
0
—
0
—
ns
14, 21
Write command hold time
8
—
10
—
13
—
ns
21
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
8
—
10
—
10
—
ns
8
—
10
—
13
—
ns
8
—
10
—
13
—
ns
23
Data-in setup time
0
—
0
—
0
—
ns
15, 23
Data-in hold time
8
—
10
—
13
—
ns
15, 23
Read-Modify-Write Cycle
HM51W16165/HM51W18165
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
111
—
135
—
161
—
ns
67
—
79
—
92
—
ns
14
30
—
34
—
40
—
ns
14
42
—
49
—
57
—
ns
14
13
—
15
—
18
—
ns
Refresh Cycle
HM51W16165/HM51W18165
-5
-6
-7
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle) t
CSR
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
5
—
5
—
5
—
ns
21
t
CHR
t
RPC
8
—
10
—
10
—
ns
22
5
—
5
—
5
—
ns
21
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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PDF描述 |
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