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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM51W16165TT-7 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| 中文描述： | 16米EDO公司的DRAM（1 - Mword 16位）4畝刷新/ 1畝刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM51W16165TT-7 |
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HM51W16165 Series, HM51W18165 Series
11
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)*
1,
*
2,
*
18,
*
19,
*
20
Test Conditions
Input rise and fall time: 2 ns
Input levels: 0 V, 3.0 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L
(100 pF) (Including scope and jig)
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles
(Common parameters)
HM51W16165/HM51W18165
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
RAS
precharge time
CAS
precharge time
RAS
pulse width
CAS
pulse width
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
84
—
104
—
124
—
ns
30
—
40
—
50
—
ns
8
—
10
—
13
—
ns
50
10000 60
10000 70
10000 ns
8
10000 10
10000 13
10000 ns
Row address setup time
0
—
0
—
0
—
ns
Row address hold time
8
—
10
—
10
—
ns
Column address setup time
0
—
0
—
0
—
ns
21
Column address hold time
RAS
to
CAS
delay time
RAS
to column address delay time
RAS
hold time
CAS
hold time
CAS
to
RAS
precharge time
OE
to Din delay time
OE
delay time from Din
CAS
delay time from Din
8
—
10
—
13
—
ns
21
12
37
14
45
14
52
ns
3
10
25
12
30
12
35
ns
4
10
—
13
—
13
—
ns
35
—
40
—
45
—
ns
23
5
—
5
—
5
—
ns
22
13
—
15
—
18
—
5
0
—
0
—
0
—
ns
6
0
—
0
—
0
—
ns
6
Transition time (rise and fall)
2
50
2
50
2
50
ns
7
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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PDF描述 |
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