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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM51W16165LTT-5 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| 中文描述： | 16米EDO公司的DRAM（1 - Mword 16位）4畝刷新/ 1畝刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 36/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM51W16165LTT-5 |
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HM51W16165 Series, HM51W18165 Series
36
Revision Record
Rev.
Date
Contents of Modification
Drawn by
Approved by
1.0
Sep. 30, 1996
Initial issue
Y. Kasama
M. Mishima
2.0
Nov. 28, 1996
Addition of HM51W16165/HM51W18165-5 Series
Power dissipation (active)
468/414 mW(max) to 396/360/324 mW (max)
(HM51W16165 Series)
666/594 mW(max) to 684/612/540 mW (max)
(HM51W18165 Series)
DC Characteristics (HM51W16165 Series)
I
CC7
max: 135/115 mA to 105/95/85 mA
DC Characteristics (HM51W18165 Series)
I
CC7
max: 185/165 mA to 185/165/145 mA
AC Characteristics
t
RCD
min: 20/20 ns to 12/14/14 ns
t
RAD
min: 15/15 ns to 10/12/12 ns
t
RSH
min: 15/18 ns to 10/13/13 ns
t
RRH
min: 0/0 ns to 5/5/5 ns
t
RWC
min: 136/161 ns to 111/135/161 ns
t
RPC
min: 0/0 ns to 5/5/5 ns
Timing Waveforms
Addition of t
RNCD
timing to EDO page mode mix
cycle (2)
Y. Kasama
M. Mishima
3.0
Feb. 24, 1997
AC Characteristics
t
RRH
min: 5/5/5 ns to 0/0/0 ns
Change of Subtitle
Y. Kasama
Y. Matsuno
4.0
Nov. 1997
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM51W18165LTT-5 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W16165 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W16165J-5 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W16165LTT-6 | x16 EDO Page Mode DRAM |
| HM51W16165LTT-7 | Plastic internal molding, Noise prevention, Small and lightweight interface; HRS No: 112-3433-2 00; Contact Mating Area Plating: Tin |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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