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參數(shù)資料
| 型號： | HM5164165FLJ-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 中文描述： | 6400 EDO公司的DRAM（4 Mword x 16位）8K的refresh/4k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 8/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | HM5164165FLJ-6 |
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HM5164165F Series, HM5165165F Series
8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Terminal voltage on any pin relative to V
SS
Power supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–0.5 to V
CC
+ 0.5 (
≤
4.6 V (max))
–0.5 to +4.6
V
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Tstg
1.0
W
Storage temperature
–55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Ta
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
2
Input high voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1
Input low voltage
–0.3
—
V
1
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins
must be on the same level.
0
—
70
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5164165FTT-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5165165FTT-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FTT-6 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5165165FTT-6 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5165165FJ-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5165165FTT-60 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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