參數(shù)資料
型號(hào): HM514400CL
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 1,048,576-word X 4-bit Dynamic Random Access Memory
中文描述: 1,048,576字× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
文件頁數(shù): 11/27頁
文件大?。?/td> 235K
代理商: HM514400CL
Read-Modify-Write Cycle
HM514400B/BL, HM514400C/CL
-6
-7
-8
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
150
180
200
ns
80
95
105
ns
10
35
45
45
ns
10
50
60
65
ns
10
15
20
20
ns
Refresh Cycle
HM514400B/BL, HM514400C/CL
-6
-7
-8
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
CAS
precharge time in normal mode
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPN
10
10
10
ns
10
10
10
ns
10
10
10
ns
10
10
10
ns
Fast Page Mode Cycle
HM514400B/BL, HM514400C/CL
-6
-7
-8
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Fast page mode cycle time
Fast page mode
CAS
precharge time t
CP
Fast page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
t
PC
40
45
50
ns
10
10
10
ns
t
RASC
t
ACP
100000
100000
100000
ns
12
35
40
45
ns
3, 13,
17
RAS
hold time from
CAS
precharge
t
RHCP
35
40
45
ns
11
HM514400B/BL, HM514400C/CL Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5164165F 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5164165FJ-5 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5164165FJ-6 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5164165FLJ-5 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5164165FLJ-6 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM514400CLS-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
HM514400CLS-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
HM514400CLS-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
HM514400CLTT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
HM514400CLTT-7 制造商:HITACHI 功能描述: