參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP2N120CN_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
中文描述： 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 498K
代理商： HGTP2N120CN_NL
6
www.fairchildsemi.com
HGTP2N120CN, HGT1S2N120CN Rev. C
HG
TP2
N
1
20
CN,
HG
T1
S
2N1
2
0CN
1
3A,
12
0
0V
,NP
T
S
eries
N-Cha
nne
lIGBT
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transfer Characteristic
Figure 14. Gate Charage Waveforms
Figure 15. Capacitance vs Collector to Emitter
Figure 16. Collector to Emitter On-Sate Voltage
Figure 17. Normalized Transient Thermal Response, Junction to Case
I CE
,COLLECT
O
R
T
O
EMITTER
CU
RRENT
(
A
)
0
5
10
15
13
7
8
9
10
12
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
11
20
25
30
14
15
35
TC = 150oC
TC = -55
oC
TC = 25oC
40
250
S PULSE TEST
DUTY CYCLE <0.5%, VCE = 20V
V
GE
,GA
TE
T
O
EM
ITTER
VOL
TA
GE
(
V
)
QG, GATE CHARGE (nC)
14
16
30
25
20
10
12
15
10
5
0
8
6
4
2
0
VCE = 1200V
VCE = 400V VCE = 800V
IG(REF) = 1mA, RL = 260, TC = 25oC
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
0.5
CIES
COES
1.0
CRES
FREQUENCY = 1MHz
C,
CAP
ACIT
ANCE
(
nF)
1.5
2.0
I CE
,COLLECT
O
R
T
O
EMITTER
CU
RRENT
(
A
)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
0.5
1.01.5
2.02.5
3.03.5
0
1
2
3
4
5
VGE = 10V
VGE = 15V
DUTY CYCLE <0.5%, TC = 110oC
250
s PULSE TEST
t1, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z θ
JC
,
N
ORM
A
LI
ZED
THERM
AL
RESPO
NSE
10-2
10-1
100
10-5
10-3
10-2
10-1
100
10-4
DUTY FACTOR, D = t1 / t2
PEAK TJ = (PD X ZθJC X RθJC) + TC
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t1
t2
PD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP3N60A4_NL 600V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTP3N60A4D_NL 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP7N60A4_NL 600V SMPS Series N-Channel IGBT
HGXO0A-N-SM5-FREQ,10/40/-/M CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz - 50 MHz, CMOS OUTPUT
HGXO2F-N-50.0M,10/40/-/M CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT
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參數(shù)描述
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HGTP3N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT NPT Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP3N60A4_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HGTP3N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP3N60A4D9A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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