參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP11N120CN
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(43A, 1200V NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： HGTP11N120CN
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
5
10
15
20
25
0
1
C
IES
C
OES
3
4
FREQUENCY = 1MHz
2
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
3
12
0
1
0
2
15
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
250
μ
s PULSE TEST
9
6
3
4
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
Z
θ
J
,
0.01
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 10
L = 2mH
V
DD
= 960V
+
-
HGTG11N120CND
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, HGT1S11N120CNS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG11N120CN 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG11N120CND 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGT1S11N120CNS 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(43A, 1200V NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTG11N120CN 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG11N120CND 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTP12N6001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP12N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP12N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP12N60A4D 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-220
HGTP12N60B3 制造商:INTERSIL 制造商全稱(chēng):Intersil Corporation 功能描述:27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*