參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG5N120BND
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes(21A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 21 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： HGTG5N120BND
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
0.5
C
IES
C
OES
1.0
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
C
1.5
2.0
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
0.5
1.0
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
2
4
6
8
10
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
P
D
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F
,
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
150
o
C
-55
o
C
25
o
C
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
t
T
C
= 25
o
C, dl
EC
/ dt = 200A/
μ
s
t
rr
t
a
t
b
HGTG5N120BND, HGTP5N120BND, HGT1S5N120BNDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP5N120BND 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes(21A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTP5N120 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP5N120BND 3.3V 72-mc CPLD
HGTP7N60C3DS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
HGTP7N60C3DS9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG5N120CND 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG7N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG7N60A4D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
HGTG7N60A4D_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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