型號: | HGTD2N120CNS9A |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 13A I(C) | TO-252AA |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展|第13A一(c)|至252AA |
文件頁數(shù): | 1/7頁 |
文件大?。?/td> | 113K |
代理商: | HGTD2N120CNS9A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HGTD3N60A4S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
HGTD3N60B3S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-252AA |
HGT1S3N60A4S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-263AB |
HGT1S3N60B3S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-263AB |
HGTD7N60A4S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 34A I(C) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HGTD3M60C3 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGTD3N60A4 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
HGTD3N60A4S | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGTD3N60A4S9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
hgtd3n60b3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |