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參數(shù)資料
| 型號： | HGT2100-100 |
| 英文描述： | Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0684-7 53; Contact Mating Area Plating: Gold |
| 中文描述： | 工業(yè)控制IC |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | HGT2100-100 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGT2100-1000 | Industrial Control IC |
| HGTD1N120CNS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA |
| HGTD2N120BNS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA |
| HGTD2N120CNS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 13A I(C) | TO-252AA |
| HGTD3N60A4S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HGT4E20N60A4DS | 功能描述:IGBT 晶體管 TO-268 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGT4E30N60B3DS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
| HGT4E30N60B3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HGT4E30N60C3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HGT5A27N120BN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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