參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S7N60C3DS
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs(14A, 600V, UFS系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： HGT1S7N60C3DS
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 3. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 4. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 5. MAXIMUM DC COLLECTOR CURRENT vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 6. SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME
I
C
,
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
4
6
8
10
12
0
5
10
20
25
30
35
14
15
40
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 10V
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
T
C
= 150
o
C
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
0
2
4
6
8
10
5
10
15
12.0V
8.5V
9.0V
8.0V
7.5V
7.0V
V
GE
= 15.0V
20
25
30
35
40PULSE DURATION = 250
μ
s,
DUTY CYCLE <0.5%,
T
C
= 25
C
10.0V
I
C
,
0
15
0
1
2
3
4
5
20
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
5
10
25
35
40
30
DUTY CYCLE <0.5%, V
GE
= 10V
PULSE DURATION = 250
μ
s
I
C
,
0
15
0
1
2
3
4
5
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
T
C
= 150
o
C
DUTY CYCLE <0.5%, V
GE
= 15V
PULSE DURATION = 250
μ
s
5
10
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
I
C
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GE
= 15V
I
S
,
60
80
120
t
S
,
μ
s
10
11
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
12
14
15
13
140
100
40
I
SC
t
SC
10
12
V
CE
= 360V, R
G
= 50
, T
J
= 125
o
C
4
6
8
2
HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HH-597 180?Hybrid Space Qualified
HH128 Flatpack Hybrid Junction 202000 MHz
HHBA-5121A 66 MHz, 64-bit PCI-to-Fibre Channel Host Adapter(66 MHz, 64位 PCI至光通道主機(jī)適配器)
HHN300 RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
HHN320 RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S7N60C3DS9A 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1Y40N60B3D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1Y40N60C3D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264
HGT4E20N60A4DS 功能描述:IGBT 晶體管 TO-268 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT4E30N60B3DS 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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