參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S20N35G3VL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： XC9536-6PC44C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 20 A, 320 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA
封裝： TO-262AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 106K
代理商： HGT1S20N35G3VL
3-70
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS
FIGURE 13. CAPACITANCE AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 15. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 16. BREAKDOWN VOLTAGE AS A FUNCTION OF
GATE - EMITTER RESISTANCE
Test Circuits
FIGURE 17. USE TEST CIRCUIT
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
Typical Performance Curves
(Continued)
C
0
5
10
15
20
25
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
FREQUENCY = 1MHz
C
IES
C
OES
C
RES
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
12
10
8
6
4
2
0
6
5
1
0
4
3
2
0
10
20
30
40
V
G
,
I
G
REF = 1.022mA, R
L
= 1.2
, T
C
= +25
o
C
V
C
,
V
CE
= 4V
V
CE
= 8V
V
CE
= 12V
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-1
10
1
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
0.5
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.05
0.2
Z
θ
J
,
0.02
0
2000
4000
6000
8000
10000
335
340
345
350
R
GE
, GATE-TO-EMITTER RESISTANCE (V)
B
C
,
I
CER
= 10mA
T
C
= +25
o
C AND +175
o
C
B
R
G
G
C
E
V
DD
2.3mH
DUT
R
GEN
= 25
5V
R
GEN
= 50
+
-
V
CC
300V
DUT
C
G
E
R
GE
= 50
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
L = 550
μ
H
R
L
10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S3N60C3DS 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
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HGT1S7N60B3DS 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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參數(shù)描述
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