參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S20N35G3VL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： XC9536-6PC44C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 20 A, 320 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA
封裝： TO-262AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： HGT1S20N35G3VL
3-68
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 3. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
FIGURE 4. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
FIGURE 5. SATURATION VOLTAGE AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 6. SATURATION VOLTAGE AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
I
C
,
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
10
2
3
4
5
40
20
0
6
30
50
1
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 10V
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= -40
o
C
I
C
,100
80
60
40
20
0
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
V
GE
=10V
7V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= +25
o
C
I
C
,
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
T
C
= +175
o
C
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
V
GE
= 4.0V
4
3
2
1
0
40
30
20
10
0
I
C
,
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
5
V
GE
= 4.5V
-40
o
C
+25
o
C
+175
o
C
50
-25
+25
+75
+125
+175
1.1
1.2
1.3
1.4
V
C
,
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
CE
= 10A
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 5.0V
-25
+25
+75
+125
+175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
C
,
1.5
1.7
1.9
2.1
V
GE
= 4.0V
V
V
GE
= 4.5V
I
CE
= 20A
2.2
2.0
1.8
1.6
V
= 4.5V
GE
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PDF描述
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