參數(shù)資料
型號(hào)： HDD32M72D9RPW-13B
廠商： Hanbit Electronics Co.,Ltd.
英文描述： DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), based on 32Mx8, 4Banks 8K Ref., 184Pin-DIMM with PLL & Register
中文描述： 256MB的DDR SDRAM內(nèi)存模塊（32Mx72bit），基于對(duì)32Mx8，4Banks 8K的參考。，184Pin - DIMM內(nèi)存的鎖相環(huán)
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商： HDD32M72D9RPW-13B
HANBit
HDD32M72D9RPW
URL : www.hbe.co.kr 7 HANBit Electronics Co.,Ltd.
REV 1.0 (JUNE.2003)
AC Timming Parameters & Specifications
(These AC charicteristics were tested on the Component)
DDR200
DDR266A
DDR266B
-10A
-13A
-13B
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
NOTE
Row cycle time
t
RC
70
65
65
ns
1
Refresh row cycle time
t
RFC
80
75
75
ns
1,2
Row active time
t
RAS
48
120K
45
120K
45
120K
ns
1,2
/RAS to /CAS delay
t
RCD
20
20
20
ns
3
Row precharge time
t
RP
20
20
20
ns
3
Row active to Row active delay
t
RRD
15
15
15
ns
3
Write recovery time
t
WR
15
15
15
t
CK
3
Last data in to Read command
t
CDLR
1
1
1
t
CK
2
Col. address to Col. address delay
t
CCD
1
1
1
t
CK
CL=2.0
10
12
7.5
12
10
12
ns
5
Clock cycle time
CL=2.5
t
CK
7.5
12
7.5
12
ns
5
Clock high level width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
Clock low level width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
DQS-out access time from CK/CK
t
DQSCK
-0.8
+0.8
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
Output data access time from CK/CK
t
AC
-0.8
+0.8
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
Data strobe edge to ouput data edge
t
DQSQ
-
+0.6
-
+0.5
-
+0.5
ns
5
Read Preamble
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
Read Postamble
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
Data out high impedence time from CK-/CK
t
HZQ
-0.8
+0.8
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
ns
2
CK to valid DQS-in
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
DQS-in setup time
t
WPRES
0
0
0
ns
3
DQS-in hold time
t
WPREH
0.25
0.25
0.25
t
CK
DQS-in falling edge to CK rising-setup time
t
DSS
0.2
0.2
0.2
t
CK
DQS-in falling edge to CK rising hold time
t
DSH
0.2
0.2
0.2
t
CK
DQS-in high level width
t
DQSH
0.35
0.35
0.35
t
CK
DQS-in low level width
t
DQSL
0.35
0.35
0.35
t
CK
DQS-in cycle time
t
DSC
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
Address and Control Input setup time
t
IS
1.1
0.9
0.9
ns
6
Address and Control Input hold time
t
IH
1.1
0.9
0.9
ns
6
Mode register set cycle time
t
MRD
16
15
15
ns
DQ & DM setup time to DQS
t
DS
0.6
0.5
0.5
ns
DQ & DM hold time to DQS
t
DH
0.6
0.5
0.5
ns
DQ & DM input pulse width
t
DIPW
2
1.75
1.75
ns
Power down exit time
t
PDEX
10
7.5
7.5
ns
Exit self refresh to write command
t
XSW
116
95
ns
Exit self refresh to bank active command
t
XSA
80
75
75
ns
Exit self refresh to read command
t
XSR
200
200
200
Cycle
Refresh interval time
t
REF
7.8
7.8
7.8
us
1
DQS write postamble time
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
3
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